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公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。

MOS管在开关电路里面起到的作用就是控制电路的通断和信号的转换。MOS管大致可分为两大类：N沟道和P沟道。

在N沟道MOS管电路里，BEEP引脚是高电平就可以导通使得蜂鸣器响应，低电平则是关闭蜂鸣器。P沟道MOS管来控制GPS模块电源的通断，GPS_PWR引脚是低电平的时候导通，GPS模块则正常地供电，高电平时使得GPS模块断电。

P沟道MOS管在N型硅衬底上P+区有两个：漏极和源极。这两极彼此之间并不通导，当在接地时源极上加有足够的正电压，栅极下面的N型硅表面就会浮现出P型的反型层，变成连接漏极和源极的沟道。改变栅极的电压可以使沟道里的空穴密度发生变化，因此来改变沟道电阻。这种就被称为P沟道增强型场效应晶体管。

NMOS的特性，Vgs只要大于一定的数值便会导通，适用在源极接地的低端驱动的情况下，前提是栅极的电压达到4V或着10V就行。

PMOS的特性，与NMOS相反，在Vgs只要小于一定的数值便会导通，适用于源极接VCC时高i端驱动的情况下。但是，由于替换种类少，导通电阻大，价格贵等原因，尽管PMOS可以非常方便地用作在高i端驱动的情况下，所以在高i端驱动中，一般都还是使用NMOS。

总的来说，MOS管有着很高的输入阻抗，在电路中方便直接耦合，比较容易制作成为规模大的集成电路 。

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估测场效应管的放大能力

把万用表调到R×100档时，用红表笔去接源极S，用黑表笔去接漏极D，这就好像是给场效应管加上了1.5V的电压。这个时候表针指示的就是D-S极间的电阻值。这个时候用手指去捏栅极G，把人体的感应电压当做输入信号去加到栅极上时。因为管子放大的作用，ID和UDS都会变化，意思就是D-S极间的电阻发生了变化，我们可以观察到此时表针有较大的摆动幅度。假如手捏栅极时，表针的摆动幅度很小，也就是说管子的放大能力比较弱；如果表针没有丝毫动作，说明管子已经损坏了。

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无论是NMOS或是PMOS，导通后都会有导通电阻，使得电流在电阻上耗费一定的电能，这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的MOS管就可以减少导通耗损，如今的小功率MOS管导通电阻一般也就几十毫欧的样子，甚至几毫欧的都有。MOS在导通和截至的情况下，并不是在一瞬间完成的。

MOS两边的电压有一个降低的过程，流过的电流则有一个升高的过程，在这段时间内，电压和电流相乘即是MOS管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多，并且要是开关頻率越高，损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大，导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间，就能够减少每次导通时的损耗，减少开关的频率，也就能够减少一定时间内开关的频次，从而做到减少开关损耗。

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场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。